Electrónica → Zona de Corte
Zona de Corte de un Transistor:
En este capítulo vamos a tratar un tema muy importante dentro de la electrónica como es el de Zona de Corte de un Transistor.
Se define Zona de Corte de un Transistor como:
Se define Zona de Corte de un Transistor como:
es la zona de trabajo de un transistor en la que por la no circula intensidad de corriente por la Base, siendo por lo tanto la intensidad de corriente del Colector y Emisor también nula por lo tanto y la diferencia de potencial entre el Colector y Emisor es el de la batería y se comporta como un interruptor abierto.Ver también:
- Base (B): región del transistor entre el Colector y Emisor y que modula el paso de los portadores
- Colector (C): región del transistor que recoge o recolecta los portadores emitidos por el Emisor
- Emisor (E): región del transistor que emite portadores al Colector
- Transistor en corte: la corriente en la base no llega a un mínimo y funciona como un interruptor abierto
- Transistor en saturación: la corriente en la base supera un máximo y funciona como interruptor cerrado
- Transistor en activa: corriente entre el mínimo y el máximo, funcionando como amplificador variable
- Polarización del transistor: conseguir que la corriente eléctrica y diferencia de potencial tengan valores fijos
- Transistor de Punta de Contacto: base dopada en Germanio con dos puntas metálicas (emisor y colector)
- Transistor de Unión Bipolar: presenta dos uniones PN que permiten aumentar la corriente y disminuir la tensión
- Transistor PNP: el colector se conecta a masa y el emisor al terminal positivo
- Transistor NPN: la base es un semiconductor dopado P entre dos capas de semiconductor N
- Config. en Emisor Común: el emisor se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Config. en Base Común: la base se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Config en Colector Común: el colector se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Transistor de Efecto de Campo (FET): el campo eléctrico controla la forma y conductividad del canal portador
- Transistor de Canal N: el canal está dopado únicamente con un material N
- Transistor de Canal P: el canal está dopado únicamente con un material P
- Transistor MOSFET: transistor FET efecto campo metal-óxido-semiconductor que presenta cuatro terminales
- Transistor JFET: transistor de unión, presenta tres terminales y no no necesita corriente de polarización
- Transistor HEMT: transistor de efecto campo con alta mobilidad de electrones
- Transistor IGBT: transistor de efecto campo bipolar de puerta aislada
- Transistor TFT: transistor de películas finas de semiconductor activo con una capa de material dieléctrico
- Transistor CMOS: transistor de semiconductor complementario de óxido metálico
- Fototransistor: transistor sensible a la luz, incluida la región no visible del espectro
- Transistor de Aleación: transistor de unión de monocristales a los que se introducen impurezas donantes
- Transistor de Potencia: transistor diseñado para soportar altas tensiones y corrientes eléctricas
